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    行业新闻

    第三代半导体材料迎来发展时机!

    发布时间:2021-06-18 丨 阅读次数:

    我们所知道的第一代半导体硅(Si)、锗(Ge,锗主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器,但由于耐热和抗压行差,后续被硅材料所取代,现今硅材料主要作为基础材料来制作电子产品。第二代半导体材料是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP,更新换代的材料比第一代的硅拥有更加优秀的性能,适合用于大功率、高速等发光元器件,被广泛运用于通信领域。


    那什么是第三代半导体呢?第三代半导体材料主要是以新兴材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带的半导体材料。因其拥有更宽的禁带宽度、更高的导热率、抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特,技术可以实现电子浓度和运动控制符合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。例如小米120W快充电源适配器,就是利用了第三代半导体材料氮化镓(GaN大功率、高效能量转化的特点,最快速度可以在20分钟将手机电量充满,赢得市场的青睐。


    第三代半导体也与绿色低碳、智慧经济等国家重大战略要求观念相符现在已成为全世界半导体技术和产业新的关注核心,在国家相关政策的扶持帮助下,我国的第三代半导体产业已经逐渐形成,不少传统的半导体企业都在布局第三代半导体的领域,不断创新发展

    值得注意的是,第三代半导体并不是取代了第一、二代半导体材料,它们三者应用在不同领域不同产品上各有各的优点,集合在一起又是互补的关系。

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